SK海力士響應美國本土化壓力 擬在美巨額投資HBM

SK海力士響應美國本土化壓力 擬在美巨額投資HBM
SK海力士響應美國本土化壓力 擬在美巨額投資HBM

商傳媒|方承業/綜合外電報導

南韓記憶體大廠SK海力士已於美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)動工興建其首座位於美國的半導體生產工廠。這座新廠將專注於先進封裝與後端製程,透過堆疊或整合多個晶片來提升半導體效能。SK海力士預計自2029年下半年起,該廠每年將量產數十萬片第七代HBM4E高頻寬記憶體(HBM),主要客戶預期將包括以輝達為首的美國大型科技公司。

SK海力士此舉,是為響應美國總統川普確保半導體供應鏈本土化主導權的政策目標。美國商務部長霍華德·盧特尼克去年八月曾接受福克斯商業新聞電視臺採訪表示,川普的目標是利用頂尖技術在美國本土生產半導體,以確保美國能最佳控制相關供應。

為此,SK海力士已宣布計畫在2030年前,向美國額外投資至少450億美元。與此同時,南韓三星電子也正繼德州奧斯汀(Austin)廠後,在泰勒(Taylor)市興建新的半導體代工廠,預計總投資額達370億美元。這些南韓半導體大廠相繼在美國擴大投資,被視為是為避免川普政府未來可能擴大實施的半導體關稅。

根據《政客》(Politico)報導指出,川普政府正考慮將半導體關稅的應用範圍,從晶片擴大至包含筆記型電腦與資料中心伺服器等內含半導體的終端產品。報導也提及,雖然南韓出口的半導體目前免關稅,但這種優惠待遇可能隨美國本土投資情況而有所改變。目前各界關注這些巨額投資能否成為南韓廠商規避關稅的「保護傘」。SK海力士執行長Kwak Noh-Jung(Kwak Noh-Jung)表示,這項投資將強化美國半導體供應鏈,並有助於國家與經濟安全。

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